江西局部放電檢測儀數(shù)字式局部放電測試系統(tǒng)快速使用指南開啟電源：連接試驗電路，并確認無誤后，首先開啟系統(tǒng)電源，儀器電源插座及電源開關(guān)在儀器背面，打開儀器電源開關(guān)，儀器的信號處理電路開始工作，再啟動計算機電源開關(guān)（儀器正面ON/OFF）,啟動計算機進入WINDOWS XP系統(tǒng)。啟動儀器：在WINDOWS XP 系統(tǒng)桌面上，使用鼠標雙擊“JFD-2010”圖標，啟動進入局放系統(tǒng)。系統(tǒng)校正步驟注意：進行校正操作時要確定整個試驗區(qū)尤其是試驗電路處于斷電的狀態(tài)。重要??！以第2個通道進行50PC的校正量的校正。步驟1、在軟件界面右側(cè)功能區(qū)內(nèi)，選擇“通道步驟2、在通道校正的數(shù)值框內(nèi)填上，步驟點擊“校正”，進入校正狀態(tài)。步驟4、使用校正脈沖發(fā)生器給系統(tǒng)的第2通道試品注入的校正量，正常情況下在第2通道的示波窗口顯示一排脈沖，圖九：校正脈沖注入后圖形步驟5、調(diào)整“粗調(diào)”，“細調(diào)”使脈沖足夠大而不過載?！按终{(diào)”常規(guī)在3檔。步驟6、調(diào)整使脈沖與干擾的差距顯著，即信號與噪聲的比較（信噪比）越大越好?！癋H”常規(guī)是200KHz，常規(guī)是20KHz。步驟7、點擊“完成”，系統(tǒng)對第2通道的校正完成，注意，要移開校正脈沖發(fā)生器并關(guān)閉發(fā)生器電源，進入測量等待狀態(tài)。濾波頻帶和增益設(shè)置的說明：濾波頻帶是由組成的一個帶通濾波器，“FL”為高通濾波器，如選擇10KHz，則信號中大于10KHz的頻率信號可以通過，小于10KHz的頻率信號將會有很大的衰減；為低通濾波器，如選擇300KHz，則信號中小于300KHz的頻率信號可以通過，大于300KHz的頻率信號將會有很大的衰減；這樣由“FL”、“FH”組成的帶通濾波器可以濾除掉部分頻率的干擾信號。頻帶選擇的原則是：根據(jù)現(xiàn)場干擾情況，靈活選擇“FL”、“FH”各種組合，帶寬選擇盡可能大，因為這樣，信號放大電路可以獲得比較高的靈敏度，能夠有效改善信噪比。增益的設(shè)置：因為試品的不同，整個試驗回路的靈敏度會有所不同，這樣在校正時就要調(diào)整放大器的增益，可根據(jù)情況分別調(diào)整放大器增益粗調(diào)和放大器細調(diào)，使校正脈沖顯示能夠清晰區(qū)別噪聲信號，一般可將校正脈沖信號高度調(diào)整到縱坐標1.5的高度為宜。注意：濾波頻帶和增益的設(shè)置都應(yīng)該在校正時完成，校正完成后，就不應(yīng)該進行調(diào)整，原則上在什么檔位上校正的，就在那一檔位上測量局放，選擇的校正量應(yīng)該盡量接近試品的放電量。

江西局部放電檢測儀局部放電的定義及產(chǎn)生原因在電場作用下，絕緣系統(tǒng)中只有部分區(qū)域發(fā)生放電，但尚未擊穿，（即在施加電壓的導(dǎo)體之間沒有擊穿）。這種現(xiàn)象稱之為局部放電。局部放電可能發(fā)生在導(dǎo)體邊上，也可能發(fā)生在絕緣體的表面上和內(nèi)部，發(fā)生在表面的稱為表面局部放電。發(fā)生在內(nèi)部的稱為內(nèi)部局部放電。而對于被氣體包圍的導(dǎo)體附近發(fā)生的局部放電，稱之為電暈。由此 總結(jié)一下局部放電的定義，指部分的橋接導(dǎo)體間絕緣的一種電氣放電，局部放電產(chǎn)生原因主要有以下幾種：1、電場不均勻。2、電介質(zhì)不均勻。3、制造過程的氣泡或雜質(zhì)。經(jīng)常發(fā)生放電的原因是絕緣體內(nèi)部或表面存在氣泡；其次是有些設(shè)備的運行過程中會發(fā)生熱脹冷縮,不同材料特別是導(dǎo)體與介質(zhì)的膨脹系數(shù)不同，也會逐漸出現(xiàn)裂縫；再有一些是在運行過程中有機高分子的老化，分解出各種揮發(fā)物，在高場強的作用下，電荷不斷地由導(dǎo)體進入介質(zhì)中， 在注入點上就會使介質(zhì)氣化。二 、局部放電的模擬電路及放電過程簡介介質(zhì)內(nèi)部含有氣泡，在交流電壓下產(chǎn)生的內(nèi)部放電特性可由圖1—1的模擬電路(a b c等值電路)予以表示；其中Cc是模擬介質(zhì)中產(chǎn)生放電間隙(如氣泡)的電容；Cb代表與Cc串聯(lián)部分介質(zhì)的合成電容；Ca表示其余部分介質(zhì)的電容。(a) 實際介質(zhì) 模擬電路I——介質(zhì)有缺陷(氣泡)的部份(虛線表示)II——介質(zhì)無缺陷部份圖1—1 表示具有內(nèi)部放電的模擬電路圖1—1中以并聯(lián)有—對火花間隙的電容Cc來模擬產(chǎn)生局部放電的內(nèi)部氣泡。圖1—2表示了在交流電壓下局部放電的發(fā)生過程。