西藏絕緣子鹽密度測(cè)試儀　相關(guān)術(shù)語(yǔ)：1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulatorXP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來(lái)測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。2、爬電距離 creepage distance在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的短距離。注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應(yīng)認(rèn)為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓（對(duì)于交流系統(tǒng)，為相電壓）之比，mm/kV。4、附鹽密度 salt deposit density（SDD）人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm2。等值附鹽密度 絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm2。6、不溶物密度（簡(jiǎn)稱灰密） ）絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm2。7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn)，在相同絕緣子和相同電壓下，產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 s）在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的值。9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) s將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。10、帶電系數(shù)K1 同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測(cè)值之比，K1一般為 主測(cè)量界面圖2.2開(kāi)機(jī)，即為測(cè)量頁(yè)面，測(cè)量工作均在此頁(yè)面進(jìn)行，相關(guān)按鈕介紹見(jiàn)下表：按鈕名稱功能“參數(shù)切換至“參數(shù)設(shè)置界面記錄切換至“記錄查看界面”“校準(zhǔn)”校準(zhǔn)鹽密、灰密基準(zhǔn)值“攪拌”將溶液污穢物拌勻并測(cè)量灰密值“打印打印本次測(cè)量結(jié)果“保存”保存測(cè)試結(jié)果到內(nèi)存中