西藏絕緣子鹽密度測試儀　相關術語：1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulatorXP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來測量現(xiàn)場污穢度。2、爬電距離 creepage distance在兩個導電部分之間，沿絕緣體表面的短距離。注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認為是爬電距離的構成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應認為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應包括在爬電距離內。3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）絕緣子的爬電距離與其兩端承擔的運行電壓（對于交流系統(tǒng)，為相電壓）之比，mm/kV。4、附鹽密度 salt deposit density（SDD）人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm2。等值附鹽密度 絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm2。6、不溶物密度（簡稱灰密） ）絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm2。7、現(xiàn)場等值鹽度根據(jù)GB/T 4585進行鹽霧試驗時的鹽度。用該鹽度試驗，在相同絕緣子和相同電壓下，產生的泄露電流峰值與現(xiàn)場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。8、現(xiàn)場污穢度 s）在適當?shù)臅r間段內測量到的污穢嚴重程度ESDD/NSDD或SES的值。9、現(xiàn)場污穢度等級 s將污穢嚴重程度從非常輕到非常嚴重按SPS的分級。10、帶電系數(shù)K1 同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測值之比，K1一般為 主測量界面圖2.2開機，即為測量頁面，測量工作均在此頁面進行，相關按鈕介紹見下表：按鈕名稱功能“參數(shù)切換至“參數(shù)設置界面記錄切換至“記錄查看界面”“校準”校準鹽密、灰密基準值“攪拌”將溶液污穢物拌勻并測量灰密值“打印打印本次測量結果“保存”保存測試結果到內存中